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（010011）集成电路工艺原理大纲明细
考试大纲
《集成电路工艺原理》考试大纲
一、适用专业：
电子信息（集成电路工程）
二、参考教材：
无
三、总体要求：
1，了解集成电路工艺的发展规律；
2，理解集成电路每一个工艺过程；
3，掌握集成电路制造各道工序的原理和方法；
4，熟悉集成电路制造的主要参数和检测方法。
四、主要内容：
1，了解集成电路发展简史和集成电路工艺的发展规律；了解二极管的制造工艺流程；理解硅的晶体结构及其物理特性；熟悉硅片的制作工艺流程。
2，了解SiO2的结构及性质；理解SiO2对杂质的掩蔽是相对性的原因，以及掩蔽层厚度的计算方法；理解硅氧化过程的基本原理，会根据热氧化生长动力学计算氧化层厚度与氧化时间的关系；了解影响氧化速率的各种因素；了解Si-SiO2界面特性。
3，掌握间隙式扩散和替位式扩散的异同；理解菲克第一定律和菲克第二定律（扩散方程）；掌握恒定表面源扩散和有限表面源扩散的异同，以及两种扩散方式下杂质在硅衬底当中的杂质分布形式和特点；了解常规扩散工艺的设备原理；了解结深和方块电阻的测量方法。
4，掌握核碰撞和电子碰撞的异同，以及注入离子能量三个区域中的主导阻止机制；理解注入离子在无定形靶中的分布形式和特点；了解晶格损伤的分类；了解硅材料的热退火特性，理解热退火过程中的扩散效应；了解离子注入设备的构成和基本原理。
5，掌握真空蒸发法制备薄膜的基本原理；了解各类蒸发源及它们的应用场合；了解CVD技术的分类和工艺特点；掌握CVD的Grove模型，理解影响CVD薄膜生长速率的因素；了解常压CVD、低压CVD和等离子体增强CVD的特点和适用场合。
6，了解外延的概念和分类；了解电阻率测量方法；了解光刻工艺流程的各个步骤及作用；掌握正性和负性光刻胶的异同，了解光刻胶的性能指标；理解和掌握各类光学曝光和非光学曝光技术的特点和影响它们分辨率的主要因素；了解湿法腐蚀和干法刻蚀的特点。
参考书
无
原文标题：湘潭大学2023年招收攻读硕士学位研究生考试大纲
原文链接：https://yzbm.xtu.edu.cn/zsml/ssksdg/index/2023
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